주요학력

- 학사 2008.08 국민대학교 전자공학부 공학사

- 석사 2010.08 서울대학교 전기컴퓨터공학부 공학석사

- 박사 2013.08 서울대학교 전기컴퓨터공학부 공학박사

산업체 및 교육기관 주요경력

- 2013.09 ~ 2014.07 University of Illinois at Urbana-Champaign, Postdoctoral Research Associate

- 2014.08 ~ 2020.08 한국전기연구원 전력반도체연구센터 선임연구원

- 2020.09 ~ 2024.08 국립금오공과대학교 전자공학부 조교수

- 2024.09 ~ 현재 부산대학교 전기전자공학부 반도체공학전공 조교수

교육 및 학회 봉사 활동

- 대한전기학회 전기재료 기술위원회 위원장

- 대한전기학회 전기물성·응용부문회 편집이사

- 대한전기학회 평의원

- APWS 국제학회 TPC (Technical Program Committee)

- KISM 국제학회 Power device 분과위원장

대표 논문 (5건)

[1] H. Yoon and O. Seok, "Design of a 1.2 kV SiC MOSFET with Buried Oxide for Improving Switching Characteristics", Electronics 2024, Vol.13, Issue 5, pp. 962 (2024)

[2] S.-U. Zhang and O. Seok, "Chip Packaging Interation of SiC Junction Barrier Diode Packages", Energy Reports, Vol. 9, No. 4, pp. 65-77 (2023)

[3] O. Seok, I. H. Kang, J. H. Moon, H. W. Kim, M.-W. Ha, and Wook Bahng, “Double p-base structure for 1.2kV-SiC trench MOSFETs with the suppression of electric-field crowding at gate oxide”, Microelectronic Engineering, Vol. 225, pp.111280 (2020)

[4] O. Seok, Y.-J. Kim, and W. Bahng, “Micro-trench free 4H-SiC etching with improved SiC/SiO2 selectivity using inductively coupled SF6/O2/Ar plasma”, Phys. Scr. Vol. 95, No. 4, pp. 045606 (2020)

[5] O. Seok, H. W. Kim, J. H. Moon, and W. Bahng, “High-voltage LDIMOSFETs on HPSI 4H-SiC substrate with dual field plates”, Physica Scripta, Vol. 94, No. 10, pp. 105809 (2019)

수상 및 포상 내역

- 2010.08 서울대학교 전기컴퓨터공학부 우수논문상

- 2018.01 과학기술정보통신부장관 표창

- 2017.04 국가과학기술연구회 우수신진연구자 최우수상

- 2023.10 대한전기학회 특별상(이덕출 학술상)